Silicon Genesis beginnt mit dem PolyMax™ Produktionssystem

SAN JOSE, Kalifornien (USA)--(BUSINESS WIRE)--Silicon Genesis, ein Markführer in der Herstellung und Technologie künstlich hergestellter Substrate hat heute bekannt gegeben, dass es die Herstellung von Solarwafern mit seinem neuen Hochleistungs-Produktionssystem PolyMax begonnen hat. Als erster in der Industrie hat SiGen 85μm dicke, 156 mm quadratische schnittfugenfreie monokristalline Silikonwafer hergestellt. Die Schnittfuge ist die Stelle im Material, an der das Material bei allen Sägeprozessen in Sägestaub umgewandelt wird. Diese Errungenschaft liefert die ersten mono c-Si schnittfugenfreien Wafer für die PV-Industrie.

„Wir glauben, der Vorteil, schnittfugenfreie Wafer zu benutzen, erlaubt der PV-Industrie nicht subventionierte Netzparität zu erzielen. Der Beginn unseres Hochleistungsproduktionssystems ist ein wichtiger Schritt zur Erreichung dieses Ziels“

Die Einführung des Hochleistungs-Produktionssystems PolyMax bringt die Industrie einen Schritt näher, Drahtsägeprozesse durch eine kostengeringere abfallfreie Waferlösung zu ersetzen. Eine der wichtigsten Vorteile des PolyMax Systems ist seine Fähigkeit, dünnere Wafer als mit der Drahtsägetechnologie möglich herzustellen und damit die Industrie in die Lage zu versetzen, Zellen von höherer Konversionseffizienz und zu geringeren Kosten herzustellen.

„Wir glauben, der Vorteil, schnittfugenfreie Wafer zu benutzen, erlaubt der PV-Industrie nicht subventionierte Netzparität zu erzielen. Der Beginn unseres Hochleistungsproduktionssystems ist ein wichtiger Schritt zur Erreichung dieses Ziels”, sagte Francois Henley, CEO von SiGen.

Eingeladen als Sprecher auf der 35^ten IEEE PV Specialists Conference, gab Henley einen Überblick über kristalline Silicon schnittfugenfreie Wafertechnologien. Bei der bevorstehenden 25^ten European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (25th EU PVSEC) in Valencia, Spanien, wird SiGen das PolyMax-Produktionssystem (2CV.1.53) vorstellen.

Über SiGen

Silicon Genesis Corporation (SiGen) ist einer der Marktführer in der Verarbeitungstechnologie von künstlich erzeugten Substraten für Halbleiter-, Display-, Optoelektronik und Solarmärkten. SiGens Technologie wird für die Herstellung von Silicon-On-Isolatoren (SOI), Halbleiterwafer für Hochleistungsanwendungen benutzt. SiGen entwickelt innovative Substrate durch Dünnschichtkonzeption und schafft so neue Anwendungen und Märkte für seine Kunden. Zu SiGens Kunden und Partnern zählen die wichtigsten Substrat- und Geräte-Lieferanten der Welt. SiGen wurde 1997 gegründet und hat seinen Hauptsitz in San Jose, Kalifornien. Weitere Information zu Silicon Genesis, finden Sie unter http://www.sigen.com

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